|
|
1.13. Проекты СО РАН
|
ИФП СО
ИНХ СО
ИСЭ СО
ИАиЭ СО
ИФПМ СО
ИЯФ СО
|
|
16 100
Финанси-
руются
СО РАН
|
|
|
112
|
1.13.1.
Разработка электронных нанотранзисторов и переключателей на базе многоядерных металлокластеров с варьируемым состоянием окисления.
|
ИНХ СО
|
Габуда С. П.
.
|
300
|
Будет проведен синтез 12-центровых рений-селенид-цианид-ных кластерных комплексов [Re12СSе17(CN)6]n- с перемен-ным состоянием окисления (n = 6, 8) и будут исследованы электрохимические редокс превращения в этих комплексах;
Методами магнетохимии будет исследована магнитная восприимчивость поликристаллических образцов кластерных соединений К8Re12СS17(CN)6 · 20H2O и К6Re12СS17(CN)6 и оценены вклады орбитального парамагнетизма, в том числе, относящиеся к вкладу орбитальных токов от разрыхляющих электронов;
Методами ЯМР будут исследованы локальные магнитные поля на ядрах атомов углерода новых многоядерных кластерных соединений, как диамагнитных, так и парамагнитных и оценены вклады спинового и орбитального парамагнетизма, будут проведен анализ вкладов орбитального парамагнетизма и переходов разрыхляющих электронов двух 6-ядерных субъединиц на связующие уровни 12-ядерного кластера;
|
|
113
|
1.13.2.
Физические основы электронно-пучковой наноструктуризации металлов и сплавов.
|
ИСЭ СО
|
Коваль Н.Н
|
700
|
Будет осуществлено компьютерное моделирование темпера-турных полей, возникающих в металлах при воздействии импульсных интенсивных электронных пучков с целью опти-мизации режимов электронно-пучковой обработки; будет проведена электронно-пучковая обработка сплавов на основе железа в широком диапазоне вариации параметров электрон-ного пучка (плотности энергии, длительности и числа импуль-сов воздействия, давления реакционно-способного газа азота);
будут выполнены исследования влияния условий импульсного электронно-пучкового воздействия и реакционно-способного газа на закономерности и механизмы формирования наноструктурных состояний поверхностного слоя сплавов на основе железа;
|
|
114
|
1.13.3.
Влияние размера нанокристаллов тетрафенил бората аммония на образование и свойства триплетных экситонных состояний.
.
|
ИНХ СО
|
Надолинный В.А..
|
400
|
Для стандартизации размеров кристаллитов ТФБА кристалли-зация будет проводиться в каналах мезопористых структур, размер пор которых можно варьировать от нескольких нано-метров до нескольких десятков нанометров. В результате проведения работ по проекту будут оптимизированы условия кристаллизации тетрафенилбората аммония в каналах мезо-пористых структур. Определены размеры каналов для получения нанокристаллитов тетрафенил бората аммония с минимальными размерами, позволяющими получать стабильные триплетные экситонные состояния. Будет изучено влияние размеров нанокристаллитов на параметры триплетных экситонных состояний – времена жизни триплетных экситонных состояний, их температурная зависимость, способы их дезактивации, времена жизни люминесценции, длины волн возбуждения и регистрации люминесценции.
|
|
115
|
1.13.4.
Создание и исследование свойств 1- 2- и 3-мерных волоконно-интегрированных наноструктур для новых устройств фотоники
|
ИАиЭ СО
|
Бабин С. А.
.
|
600
|
Создание, исследование и сравнение свойств лазеров с распре-делённой обратной связью различного типа: а) на основе брэг-говской решётки с дефектом(ами) (сдвигом фазы масштаба 50-150 нм), записанной в активном волокне, б) на основе ВКР-усиления и рэлеевского отражения с от неоднородностей (субмикронного и нано- масштаба) в пассивном волокне;
Получение и исследование генерации волоконного лазера с распределённой обратной связью на основе брэгговской решётки со сдвигом фазы на пол-длины волны в режиме активной стабилизации частоты.
|
|
116
|
1.13.5.
Разработка научных основ получения наночастиц алюминия с блочной структурой - центров роста нановолокон»
|
ИФПМ СО
|
Псахье С.Г
|
1000
|
1. Модернизировать экспериментальный стенд для изучения параллельного электротеплового импульсного диспергирования двух и более металлических образцов.
2. Определить оптимальные условия процесса электротеплового диспергирования для синтеза наночастиц с блочной структурой. Получить экспериментальные образцы наночастиц алюминия с блочной структурой, исследовать дисперсный и фазовый состав наночастиц.
3. Определить оптимальные условия образования нановолокон оксида алюминия из наночастиц. Исследовать физико-химические свойства нановолокон (фазовый состав, плошадь удельной поверхности, микроструктурные характеристики) в зависимости от условий синтеза.
|
|
117
|
1.13.6.
Интроскопия полупроводниковых одноэлектронных и квантовых наноустройств
|
ИФП СО
|
Ткаченко О. А.
Латышев А.В.
|
700
|
Создание системы сбора и накопления исходных данных для вычислительной интроскопии изучаемых образцов.
Создание программы для моделирования перколяций в большой решетке антиточек.
Адаптация имеющихся алгоритмов расчетов транспорта к многопроцессорной машине Сибирского суперкомпьютерного центра (НКС-160).
Завершение исследования малой трехконтактной квантовой точки.
|
|
118
|
1.13.7.
Аппаратно- методическое обеспечение диагностики тепловых процессов в приборах на основе наногетероструктур методом ИК-микроскопии с высоким временным и латеральным разрешением
|
ИФП СО
|
Курышев Г.Л.
|
500
|
С целью увеличения температурной чувствительности и увеличения пространственного и временного разрешения будут разработаны аппаратно-программные методы сканирующей микроскопии. Создан и опробован на тестовых объектах макет сканирующего ИК микроскопа.
Будут разработаны методики проведения измерений тепловых полей в мощных микро- и оптоэлектронных приборах на основе наногетероструктур с помощью ИК-микроскопии на основе матричного МДП ИК ФПУ на арсениде индия, проведен расчет оптимального оптического тракта для получения максимального пространственного разрешения. Предложены алгоритмы обработки сигнала для улучшения пространственного разрешения.
|
|
119
|
1.13.8.
Исследование переноса тепла через нанометровые диэлектрические слои и вакуумные зазоры
|
ИФП СО
|
Овсюк В.Н.
|
1000
|
Теоретический анализ эффективности охлаждающих устройств и электрогенераторов на основе эффекта Ноттинг-хема и автоэлектронной эмиссии через вакуумные зазоры нанометровой ширины. Определение оптимальной величины работы выхода из эмиттера.
Разработка измерительного устройства и определение теплопроводности тонких диэлектрических слоев диоксида кремния в зависимости от толщины в диапазоне толщин примерно 10–100 нм.
Разработка принципов построения экспериментального прибора для измерения переноса лучистой энергии через (регулируемые) вакуумные зазоры нанометровой ширины.
|
|
120
|
1.13.9.
Исследование возможности создания неохлаждаемых болометрических приемников ИК излучения с предельно высокой чувствительностью на основе наноразмерных структур с высоким температурным коэффициентом сопротивления
|
ИФП СО
|
Демьяненко М.А.
|
300
|
Будет исследована возможность повышения температурного коэффициента сопротивления термочувствительных слоев оксидов ванадия путем их легирования вольфрамом.
Будут изготовлены тестовые болометрические структуры на слоях оксидов ванадия, легированных вольфрамом, и иссле-дованы температурные зависимости проводимости и 1/f шума указанных термочувствительных слоев.Будет исследовано поглощение ИК излучения в микроболометрической структуре, в значительной мере обусловленное наличием оптического резонатора.
|
|
121
|
1.13.10.
Исследование, разработка и изготовление двухцветного ИК фотоприемного устройства на основе гетероструктур с квантовыми ямами
|
ИФП СО
|
Есаев Д. Г.
|
1000
|
Будет разработана конструкция и проведена оптимизация параметров матричных большеформатных фотоприемников с полным форматом 320х256 элементов.
Будет отработана технология глубокого плазмо-химического травления структур.
Разработана технология и оптимизирован способ сопряжения структур с кремниевым мультиплексором для чересстрочного считывания фотосигнала с каждой из частей структуры.
Будут разработана технология и изготовлены многослойные гетероструктуры GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами чувствительные в спектральном диапазоне 3-5 и 8-12 мкм.
Шаг матрицы фотоприемников составит 30-35 мкм, полный формат - 320х256 элементов, быстродействие - до 50 кадров/сек, температурное разрешение – не более 50 мК, динамический диапазон не менее 40 дБ.
|
|
122
|
1.13.11.
Физико-химические исследования процессов роста квантовых ям на основе HgTe с контролем параметров в реальном времени и их магнитотранспортных свойств
|
ИФП СО
|
Сидоров Ю. Г
|
1200
|
На подложках (013)GaAs будет проведено исследование возможности управляемого выращивания HgTe квантовых ям (КЯ) с различным уровнем концентрации электронов в КЯ. В качестве технологической основы создания структур с КЯ будет использован метод молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), который обладает необходимой гибкостью и позволяет управлять составом слоев в процессе их роста. Для контроля состава, толщины и скорости роста структур будет использоваться встроенный прецизионный высокоскоростной эллипсометр. Будут определены оптимальные условия выращивания КЯ на основе HgTe и разработана методика выращивания и легирования In широкозонной (спейсера) части. Предполагается выращивание HgTe КЯ с различным уровнем легирования индием широкозонных спейсеров и исследование подвижности и концентрации двумерного электронного газа (ДЭГ) в КЯ с помощью квантового эффекта Холла. Ожидается установление зависимости концентрации электронов в ДЭГ от объемной концентрации электронов в спейсере.
|
|
123
|
1.13.12.
Формирование полупроводни-ковых наночастиц под влиянием веществ - сурфактантов методм молекулярно-лучевой эпитаксии
|
ИФП СО
|
Пчеляков О.П.
|
1000
|
Будут получены зависимости морфологических и структурных характеристик наночастиц Ge, самоформирующихся в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии на поверхности эпитаксиальных пленок CaF2, от доли покрытия поверхности углеродом и температуры подложки.
|
|
124
|
1.13.13.
Механизмы роста и характеристики Si и Si/Ge нановискеров.
|
ИФП СО
|
Неизвестный И. Г.
|
300
|
Разработка Монте-Карло модели роста и окисления нановискеров в системе Ge-Si c использованием золота в качестве активатора роста;
Определение ростовых условий для получения оптимальной морфологии нановискеров на основе анализа результатов моделирования;
Разработка методов пассивирования поверхности кремниевых нановискеров;
Получение зависимости проводимости и подвижности носителей заряда от вида пассивации поверхности Si нановискеров;
Получение информации о дефектах кристаллической структуры кремниевых нановискеров и морфологии границы раздела окисел-нановискер.
|
|
125
|
1.13.14.
Полупроводниковые нанооболочки с управляемой кривизной поверхности.
|
ИФП СО
|
Воробьев А.Б.
|
700
|
Будут созданы нанооболочки на основе гетеропереходов GaAs/AlGaAs, InAs/InGaAs, InAs/GaSb, Si/SixGe1-x с модулированным легированием и проведены их магнитотранспортные исследования. Будет экспериментально проверена возможность управления механическими напряжениями и кривизной оболочек различными способами с целью выбора оптимального для дальнейших исследований и поиска практических применений.
|
|
126
|
1.13.15.
Релаксация спина экситонов в новом классе квантовых точек: InAs/AlGaAs квантовые точки первого рода с непрямой структурой зон в пространстве квазиимпульсов.
|
ИФП СО
|
Журавлев К.С.
|
800
|
Будет развита новая технология роста - капельная эпитаксия (droplet epitaxy) с помощью которой, будут синтезированы структуры c InAs КТ в матрицах AlGaAs различного состава, с формой, варьирующейся от «блинообразной» до близкой к сферической. Установлены условия получения КТ с различ-ным размером и формой и плотностью (от 108 до 1012 см-2).
Будет изучено влияние величины энергии локализации и формы на энергетический спектр КТ и тонкую структуру экситонных уровней
|
|
127
|
1.13.16.
Разработка полупроводниковых наноструктур с низкой плотностью квантовых точек для приборов нанофотоники.
|
ИФП СО
|
Гайслер В.А.
|
1500
|
Разработка технологии МЛЭ по формированию полупро-водниковых наноструктур, содержащих InAs и InGaAs квантовые точки низкой плотности с длиной волны излу-чения в диапазоне 0.9 – 1 мкм. Выбор оптимальных режимов роста (температуры, соотношения потоков As:In, скоростей роста InAs) для формирования ансамбля InAs квантовых точек по механизму Странского-Крастанова с плотностью 108 – 109 см-2. Анализ структур методом атомно-силовой микроскопии и методом фотолюминесценции.
Апробация метода локального анодного окисления с использованием атомно-силового микроскопа с целью подготовки площадок субмикронного размера для селек-тивного позиционирования квантовых точек. Отработка режимов локального анодного окисления с целью получе-ния оксидных островков GaAs с латеральными размерами 20 – 100 нм и высотой 2 – 20 нм. Отработка методики удаления оксидных островков GaAs с целью формирования ямок на поверхности GaAs глубиной 2 – 10 нм.
|
|
128
|
1.13.17.
Исследование спектра электронных состояний в наногетероструктурах Si/CaF2/BaF2/PbSnTe:In.
|
ИФП СО
ИЯФ СО
|
Шумский В.Н.
|
400
|
Получены структурно совершенные наногетероструктуры Si/CaF2/BaF2/PbSnTe:In с толщиной в диапазоне 10-1000 нм.
Проведен расчет энергетического спектра локализованных состояний в материале с токами, ограниченными простран-ственным зарядом в присутствии центров захвата электронов.
В диапазоне до 1000 мкм измерены спектры пропускания наногетероструктур, выявлены корреляции с рассчитанным спектром локализованных состояний и особенности, связанные с квантованием спектра
|
|
129
|
1.13.18.
Эффекты электрон-электронного и спин-орбитального взаимодействий в наноструктурах.
|
ИФП СО
|
Чаплик А. В.
|
800
|
Будут рассчитаны обменно-корреляционные поправки к электронному спектру туннельно-связанной двойной квантовой ямы, и с их учетом будет найдено время электрон-электронной релаксации.
Будет исследовано нелинейное растекание непрямых экситонов в двойной квантовой яме.
Будут изучены свойства двумерной электрон-дырочной системы (в том числе и в многодолинном случае) в сильном магнитном поле. Ожидается, что в такой системе возможен переход в состояние экситонного диэлектрика.
Будет исследован фотогальванический эффект в искривлен-ной квантовой проволоке. Будет построена теория темпера-турной зависимости кинетических коэффициентов анизотроп-ной двумерной системы, основанная на вкладе электрон-электронного рассеяния и объяснена сильная температурная зависимость магнитопроводимости многодолинного полуметалла от температуры.
|
|
130
|
1.13.19.
Квантовый транспорт и коллективные явления в двумерных электронных системах в гетероструктурах AlGaAs/GaAs и AlGaN/GaN, квантовых ямах CdHgTe/HgTe/CdHgTe и наноструктурах на их основе.
|
ИФП СО
|
Квон Зе Дон
|
1000
|
Дальнейшее развитие электронной литографии и плазмохимического травления гетероструктур AlGaAs/GaAs с целью увеличения их разрешающей способности и изготовления на их основе сверхмалых квантовых интерферометров сверхрешеток с малыи периодом. Создание технологии изготовления наноструктур на основе квантовых ям CdHgTe/HgTe/GdHgTe.
Будет установлена роль эффектов взаимодействия в поведении осцилляций Аронова-Бома малых кольцевых квантовых интерферометров.
Будут найдены основные механизмы рассеяния в двумерном полуметалле в квантовых ямах на основе теллурида ртути и установлена относительная роль рассеяния на примесях и шероховатостях. Наблюдение эффектов электронно-дырочного рассеяния.
Будет дан ответ на вопрос возможно ли существование перехода двумерный полуметалл – двумерный экситонный диэлектрик в квантовых ямах CdHgTe/HgTe/GdHgTe.
|
|
131
|
1.13.20.
Коллективные явления в полупроводниковых наноструктурах с плотным массивом квантовых точек.
|
ИФП СО
|
Двуреченский А. В.
|
1500
|
Установление электронной структуры, симметрии волновых функций и спиновых состояний в коллективах упруго напряженных квантовых точек. Выяснение возможности формирования перепутанных квантовых состояний для реализации двухкубитовых операций в такой системе.
Определение оптимальных условий (расстояние между квантовыми точками, их размер и состав), позволяющих реализовать максимальный коэффициент межзонного поглощения света в квантовый точках 2-го типа.
Выявление основных закономерностей перехода от сильной к слабой локализации при изменении степени заполнения туннельно-связанных квантовых точек.
Разработка однофотонного квантового фотоприемника, дизайна структуры и получение экспериментальных свидетельств однофотонного поглощения.
|
|
132
|
1.13.21.
Создание светоизлучающих диодов на основе наноструктурированных слоёв кремния для диапазона длин волн 1.5-1.6 мкм».
|
ИФП СО
|
Шкляев А. А.
|
400
|
Измерить спектры электролюминесценции изготовленных диодов и оценить перспективность выращенных слоёв крем-ния для создания источников света в диапазоне 1.5-1.6 мкм. Проанализировать влияние легирующих примесей на спектр излучения.
Получить температурную зависимость интенсивности электролюминесценции и на её основе определить роли процессов термической эмиссии носителей с уровней, созданных кристаллическими дефектами.
Получить зависимость интенсивности электролюминесценции от плотности тока инжекции при разных температурах образца. Анализ этой зависимости использовать для установ-ления преобладающего механизма рекомбинации носителей.
|
