Институтский семинар в ИФП СО РАН 14 ноября 2012 г.

В среду 14 ноября 2012 г. в 10 часов в конференц-зале административного корпуса Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова (Новосибирск) состоится Институтский семинар.
Юрасов Дмитрий Владимирович выступит с докладом "Особенности образования наноостровков в многослойных SiGe  гетероструктурах и метод селективного легирования SiGe структур сегрегирующими примесями".

  страница 1 из 1