Защита диссертации в ИФП СО РАН 5 ноября 2013 года

5 ноября 2013 года в 15.00 в конференц-зале административного корпуса Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск) состоится защита диссертации Лошкаревым Иваном Дмитриевичем "Напряженное состояние и дислокационная структура пленок GaAs, GaP и GeSi на кремнии", представленной на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.07 "Физика конденсированного состояния".

Будет вестись веб-трансляция защиты.

  страница 1 из 1