Дни российской науки, 2-8 февраля 2015 года

Программа Дней российской науки институтов Объединенного ученого совета СО РАН по нанотехнологиям и информационным технологиям

Институт вычислительных технологий СО РАН 
(Новосибирск, просп. Акад. Лаврентьева, 6, тел. 330-87-85, заявки на посещение принимаются до 2 февраля включительно).
4 и 6 февраля (начало в 10.00 и в 15.00) дни открытых дверей: экскурсия по институту с посещением Музея компьютерной техники, Центров обработки данных, Центрального узла связи, Центра спутникового мониторинга, лекции молодых и ведущих ученых института.

Институт динамики систем и теории управления СО РАН (Иркутск)
2–8 февраля – Дни открытых дверей для учащихся школ №№ 19, 24: посещение музея, Суперкомпьютерного центра, научно-популярная лекция. День студента (СНМ): встреча ведущих ученых института со студентами ИМЭиИ ИГУ, лекция об истории, основных направлениях деятельности института и организации работы с молодежью. 
День молодого ученого: лекции для аспирантов и молодых ученых прочтут к.т.н. Р.К. Фёдорова– «Интересные аспекты развития JavaScript»ик.т.н. Е.А. Черкашина – «Проектирование информационных систем на основе моделирования».

Институт вычислительного моделирования СО РАН (Красноярск)
3 и 4 февраля – расширенное заседание УС. Будут представлены отчетные доклады руководителей и сотрудников отделов о результатах работы в 2014 г. с представлением важнейших научных результатов и перспективных исследований по проектам и программам.
5 февраля, 15.00 (к. 434) – научно-популярная лекция на тему «Современное состояние науки о климате».
6 февраля, 12.00 (холл) – научно-популярное соревнование «Интеллектуальная Quiz-викторина», организованное СНМ института. Вопросы будут ориентированы на сообразительность и смекалку участников.
7 февраля – научный фестиваль (Красноярский музейный центр, проспект Мира, 1). ИВМ СО РАН представит на мероприятии интерактивную площадку, посвященную математике и информатике. Посетителям фестиваля будут предложены математические задачи на сообразительность и пространственное мышление. На площадке института будет выставлен механический арифмометр советского производства, каждый желающий сможет научиться производить нам нем вычисления. По завершению фестиваля в Красноярском музейном центре состоится научный бой «Красноярск – Дальний Восток». Шесть молодых ученых представят на конкурс свои научные темы. Сотрудник института И.И. Рыжков примет в нем участие.
2–8 февраля состоятся спортивные состязания.

 Конструкторско-технологический институт вычислительной техники СО РАН
(Новосибирск, ул. Акад. Ржанова, 6, предварительная запись по тел.: 330-17-57, 8-961-870-84-38, Алексей Сергеевич Мамаев).
3 февраля – День открытых дверей: показ разработок института для организованных групп школьников и студентов.
4 февраля – научно-техническая сессия института.

СКТБ «Наука» КНЦ СО РАН (Красноярск)
25 января – конференция молодых ученых института.
27–29 января – мультидисциплинарный ЯМРТ-класс для учащихся 9-х классов.
26 января – 4 февраля – публикация статей по инновационной деятельности института в спецвыпуске газеты «Наш Край».
2–6 февраля – ознакомительная экскурсия студентов СФУ и учеников гимназии № 13 по лабораториям.

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
(Новосибирск, просп. Акад. Лаврентьева, 13, административный корпус, предварительная запись по тел.: 330-77-02, 8-913-927-83-60).
6 февраля – День открытых дверей. 
В программе:
9.30 – рассказ об истории становления института, об основных результатах и направлениях работ, экскурсия в институтский Музей науки и технологии, знакомство с публикациями сотрудников и работой научной библиотеки.
10.00 – научно-образовательная сессия (конферец-зал). Вступительное слово директора института чл.-корр. РАН А.В. Латышева. Доклады: 
10.15 – чл.-корр. РАН И.Г. Неизвестный, «Полупроводниковая электроника XXIвека»; 
10.30 – д.ф.-м.н. О.П. Пчеляков, «Молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ) – базовый метод формирования гетероструктур»;
10.45 – д.ф.-м.н. В.Я. Принц «Нанотехнологии для широкого спектра практических применений»; 
11.00 – к.ф.-м.н. В.А. Володин, «Оптические явления в наноструктурах»; 
11.15 – к.ф.-м.н. И.И. Бетеров, «Современная квантовая физика»; 
11.30 – А.А. Голицин, «Приборы ночного видения». Ответы на вопросы. Кофе, чай для гостей и участников. Экскурсии по научным лабораториям института: лазерной эллипсометрии; физических основ интегральной микрофотоэлектроники; физики и технологии трехмерных наноструктур; МЛЭ полупроводниковых соединений А3В5; МЛЭ элементарных полупроводников и соединений А3В5; нанодиагностики и нанолитографии.

Институт автоматики и электрометрии СО РАН
(Новосибирск, просп. Акад. Коптюга, 1, предварительная запись до 30 января по тел. 330-68-32, Иван Лобач).
3 февраля – открытое заседание УС.
4 февраля – экскурсии по институту для студентов и учащихся. Рассказ о современных оптических и информационных технологиях: дифракционная оптика, лазерная графика, волоконные лазеры и сенсоры, современная голография, системы виртуальной реальности, роботы.
 

  страница 1 из 1