Конференция "КРЕМНИЙ 2016", Новосибирск, 12-15 сентября 2016 года

С 12 по 15 сентября 2016 года  в Институте физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН будет проходить конференция "КРЕМНИЙ 2016".

Основные направления:

Материаловедение кристаллического кремния: получение и очистка металлургического кремния, процессы роста из расплавов, химического осаждения из газовой фазы, аппаратура для роста.
Получение кремния солнечного качества и проблемы солнечной энергетики.
Атомные процессы на поверхности, границах раздела и в объеме кремния: дефекты, примесные атомы, тонкие пленки.
Тонкие пленки в кремниевой микроэлектронике: эпитаксиальные слои, кремний-на-изоляторе, напряженные структуры и low и high-k диэлектрик.
Физика кремниевых квантово-размерных структур для нано- и оптоэлектроники, фотоники, спинтроники и логических элементов для квантовых вычислений.
Нанотехнологии кремниевой электроники, включая, ионную имплантацию, литографию, технологии создания квантовых структур, диагностику.
Моделирование процессов роста кремния и структур на его основе, включая разработку алгоритмов и программного обеспечения.
Кремниевая электронная компонентная база для наноэлектроники, оптоэлектроники, силовой электроники, светоизлучающих структур, фотоприемников, микромеханики и сенсорики.

Подача тезисов до 15 апреля 2016 года.

  страница 1 из 1