Программа конференции "Кремний 2016", Новосибирск, 12-15 сентября 2016 года

12-15 сентября 2016 г. Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН проводит конференцию "Кремний 2016". 

Основные направления:
•Материаловедение кристаллического кремния: получение и очистка металлургического кремния, процессы роста из расплавов, химического осаждения из газовой фазы, аппаратура для роста.
•Получение кремния солнечного качества и проблемы солнечной энергетики.
•Атомные процессы на поверхности, границах раздела и в объеме кремния: дефекты, примесные атомы, тонкие пленки.
•Тонкие пленки в кремниевой микроэлектронике: эпитаксиальные слои, кремний-на-изоляторе, напряженные структуры и low и high-k диэлектрик.
•Физика кремниевых квантово-размерных структур для нано- и оптоэлектроники, фотоники, спинтроники и логических элементов для квантовых вычислений.
•Нанотехнологии кремниевой электроники, включая, ионную имплантацию, литографию, технологии создания квантовых структур, диагностику.
•Моделирование процессов роста кремния и структур на его основе, включая разработку алгоритмов и программного обеспечения.
•Кремниевая электронная компонентная база для наноэлектроники, оптоэлектроники, силовой электроники, светоизлучающих структур, фотоприемников, микромеханики и сенсорики.

   Программа

  страница 1 из 1