В ИФП СО РАН исследуют флеш-память на основе мультиграфена

Согласно результатам, полученным учеными из Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, флеш-память с использованием мультиграфена по быстродействию и времени хранения информации может превосходить аналоги, основанные на других материалах.

Новосибирские физики исследуют флеш-память на основе мультиграфена (Наука в Сибири, 29.08.2016)

  страница 1 из 1