Премия Правительства РФ вручена сотрудникам ИФП СО РАН

Ученые из Института физики полупроводников имени А.В. Ржанова СО РАН изучили новый тип разряда, применение которого способно увеличить эффективность используемых в различных сферах газовых лазеров. За это исследователи получили премию Правительства Российской Федерации. 

Убежать за наносекунду (Наука в Сибири, 02.02.2017)
 Российские ученые получили государственные премии в области науки и техники (Минобрнауки, 02.02.2017)
 
Премия Правительства Российской Федерации 2016 года в области науки и техники присуждена в составе авторского коллектива Закревскому Дмитрию Эдуардовичу, кандидату физико-математических наук, заведующему лабораторией Института физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН, Бохану Петру Артемовичу, доктору физико-математических наук, главному научному сотруднику того же учреждения за фундаментальные исследования нелокальных процессов в электрических разрядах в плотных газах и создание устройств высоковольтной техники для импульсной энергетики.

  страница 1 из 1