В НИТУ «МИСиС» создать тонкий полупроводник с заданными свойствами

Главный научный сотрудник Института биохимической физики РАН Леонид Чернозатонский:
— Получен новый полупроводниковый материал на основе нитрида бора. У него можно контролируемым способом менять ширину запрещенной зоны путем изменения концентрации кислорода. Предложенный метод позволяет быстро и просто — а значит, дешево — получить материал с контролируемой запрещенной зоной.

В России изобрели микросхемы толщиной в одну молекулу (Известия, 14.08.2017)

  страница 1 из 1