В Томске, в ИСЭ СО РАН проходят два симпозиума

18.09.10 В Томске, в ИСЭ СО РАН проходят два симпозиума

С 19 по 24 сентября в Томске, в Институте сильноточной электроники СО РАН, пройдут два научных форума: XVI Международный симпозиум по сильноточной электронике и X Международная конференция по модификации материалов пучками заряженных частиц и потоками плазмы.
Участники конференций обсудят современные проблемы генерации сверхмощных электрических импульсов, получения и транспортировки интенсивных потоков заряженных частиц, плазмы, СВЧ и рентгеновского излучений, их применения в медицине, биологии и химических технологиях.

Сайт мероприятий


  страница 1 из 1