Решение Совета об отчетах по проектам Президиума РАН и Отделений РАН за 2010 г.

ВЫПИСКА
ИЗ ПРОТОКОЛА №6 ЗАСЕДАНИЯ СОВЕТА
от 9 декабря 2010 г.

Списочный состав Совета – 26 человек. Присутствовало 23 члена Совета.
СЛУШАЛИ:
ак. Ю.И. Шокина об отчетах по проектам Президиума РАН и Отделений РАН за 2010 г.

ПОСТАНОВИЛИ:
все запланированные работы выполнены, отчеты представлены в Президиум  РАН, письма поддержки Отделений РАН получены по следующим проектам:
Программа  Президиума РАН №13 «Проблемы создания национальной научной распределенной информационно-вычислительной среды на основе развития GRID  технологий и современных телекоммуникационных сетей» (координаторы: ак. Велихов Е.П., ак. Савин Г.И.)
1. Распределенная информационно-вычислительная среда СО РАН.
ак. Шокин Ю.И.
ИВТ СО РАН, Отдел проблем информатизации ТНЦ СО РАН
2.   Технологические основы интеграции распределенных информационных ресурсов.
чл.-к. РАН Федотов А.М
ИВТ СО РАН
3.   Концептуальные основы и программные средства разработки проблемно-ориентированных распределенных вычислительных сред.
 чл.-к. РАН Бычков И.В.
ИДСТУ СО РАН
4.   Архитектура, организация функционирования и программное обеспечение больше масштабных распределенных вычислительных систем и параллельное моделирование.
чл.-к. РАН Хорошевский В. Г.
ИФП СО РАН, ИВТ СО РАН 
5.   Разработка физических основ функционирования элементов для квантовых вычислений и квантовой связи.
чл.-к. РАН Неизвестный И. Г.
ИФП СО РАН
 
Программа Президиума РАН №14 «Интеллектуальные информационные технологии, математическое моделирование, системный анализ и автоматизация» (координаторы: ак. Емельянов С.В., ак. Журавлев Ю.И.)
6. Интеллектуальные компьютерные системы для поддержки решений в конструировании и эксплуатации сложных технических систем.
ак. Шокин Ю.И.
ИВТ СО РАН
7.   Разработка фундаментальных принципов построения распределенных информационных систем.
чл.-к. РАН Федотов А.М.
ИВТ СО РАН
8.   Интеллектуальные информационные технологии для исследования проблемы энергетической безопасности.
д.т.н. Массель Л.В.
ИСЭМ СО РАН
9.   Методы и средства OLAP-моделирования в системах поддержки территориального управления.
д.т.н. Ноженкова Л.Ф.
ИВМ СО РАН
10.   Алгоритмическое и программное обеспечение для моделирования деформации микроразрушенных и пористых сред на многопроцессорных вычислительных системах.
д. ф.-м.н. Садовский В.М.
ИВМ СО РАН 

Программа Президиума РАН № 21 
«ОСНОВЫ ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ НАНОТЕХНОЛОГИЙ И НАНОМАТЕРИАЛОВ» (координатор: ак. Алферов Ж.И.)
11. Разработка электронных нанотранзисторов и переключателей на базе многоядерных металлокластеров  с варьируемым состоянием окисления.
д.ф.-м.н. Габуда С. П.
ИНХ СО РАН
12.   Физические основы электронно-пучковой наноструктуризации металлов и сплавов.
д.т.н. Коваль Н.Н.
ИСЭ СО РАН
13.   Влияние размера нанокристаллов тетрафенил бората аммония на образование и свойства триплетных экситонных состояний.
 д.ф.-м.н. Надолинный В.А.
ИНХ СО РАН, ИК СО РАН
14.   Развитие эллипсометрических и спектрофотометрических методов для исследования многослойных структур нанометровой толщины.
д. т. н. Аюпов Б. М.
ИНХ СО РАН
15.   Разработка и исследование системы терагерцовой диагностики на основе фемтосекундных волоконных лазеров для изучения динамики неравновесных процессов в квантовых системах пониженной размерности.
д.т.н. Потатуркин О. И. 
ИАиЭ СО РАН
17.   Применение EXAFS и XANES спектроскопии для исследования микроструктуры полупроводниковых материалов с вертикально-сопряженными квантовыми точками.
к.ф.-м.н. Эренбург С. Б.
ИНХ СО РАН
18.   In situ диагностика магнитных нанострукур комбинированным методом спектральной магнитоэллипсометрии.
д.ф.-м.н. Овчинников С. Г.  
ИФ СО РАН, ИФП СО РАН
19.   Ультрамягкая рентгеновская спектроскопия для определения дефектности и текстуры улеродных наноматериалов.
д.ф.-м.н. Окотруб А. В. 
ИНХ СО РАН
20.   Аппаратурно-методический комплекс для исследования структуры наноматериалов на синхротронном излучении.
ак. Кулипанов Г.Н.
ИФП СО РАН, ИЯФ СО РАН, ИК СО РАН
21.   Исследование особенностей формирования нанокомпозитных пленок, созданных на основе полупроводниковых соединений изоэлектронного ряда германия структурными методами, использующими синхротронное  излучение
д.ф.-м.н. Мезенцев Н. А.
ИЯФ СО РАН, ИК СО РАН
22.   Диагностика наноструктур на атомарном уровне: развитие in situ электронно-зондовых методов и исследование закономерностей формирования гомо- и гетерогенных полупроводниковых наноструктур.
чл.-к. РАН Латышев А.В. 
ИФП СО РАН
23.   Разработка оптической технологии получения с нанометровым разрешением трехмерного изображения элементов дисперсной фазы в потоке (ТОМОГРАФИЯ СВЕТОРАССЕЯНИЯ).
д.ф.-м.н. Мальцев В.П.
ИХКГ СО РАН
24.   Восстановление локального поля объекта по сигналу ближнепольного сканирующего оптического микроскопа.
д.ф.-м.н. Шапиро Д.А. 
ИАиЭ СО РАН
25.   Развитие методов исследования высокодисперсных наноструктурированных  материалов: гетерогенных катализаторов; сорбентов; нанопорошков.
д.ф.-м.н. Цыбуля С. В.
ИК СО РАН
26.   Создание и исследование свойств 1- 2- и 3-мерных волоконно-интегрированных наноструктур для новых устройств фотоники.
д.ф.-м.н. Бабин С. А.
ИАиЭ СО РАН
27.   Разработка научных основ получения наночастиц алюминия с блочной структурой - центров роста нановолокон.
д.ф.-м.н. Псахье С.Г.
ИФПМ СО РАН 
28.   Исследование предельных характеристик методов диагностики наноструктур и наноустройств c использованием низкокогерентной интерферометрии.
д.т.н. Чугуй Ю. В.
КТИ НП СО РАН
29.   Создание высокочувствительных фотоприемников на основе пленок PbSnTe:In для оптических методов и спектроскопии  в терагерцовом диапазоне частот.
д.ф.-м.н. Климов А. Э.
ИФП СО РАН, ИЯФ СО РАН
30.   Исследование деформации поверхностной кристаллической решетки в процессе образования нанокластеров Ge на поверхности Si методом регистрирующей дифракции быстрых электронов на отражение.
к.ф.-м.н. Никифоров А. И. 
ИФП СО РАН
31.   Интроскопия  полупроводниковых одноэлектронных и квантовых наноустройств.
к.ф.-м.н. Ткаченко О. А. , чл.-к. РАН Латышев А.В.
ИФП СО РАН
32.   Аппаратно- методическое обеспечение диагностики тепловых процессов в приборах на основе наногетероструктур методом ИК-микроскопии с высоким временным и латеральным разрешением.
д.ф.-м.н. Курышев Г.Л.
ИФП СО РАН
33.   Исследование переноса тепла через нанометровые диэлектрические слои и вакуумные зазоры.
д.ф.-м.н. Овсюк В. Н.
ИФП СО РАН
34.   Исследование возможности создания неохлаждаемых болометрических приемников ИК излучения с предельно высокой чувствительностью на основе наноразмерных структур с высоким температурным коэффициентом сопротивления.
к.ф.-м.н. Демьяненко М. А. 
ИФП СО РАН
35.   Исследование, разработка и изготовление двухцветного ИК фотоприемного устройства на основе  гетероструктур с квантовыми ямами.        
к.ф.-м.н. Есаев Д. Г. 
ИФП СО РАН
36.   Физико-химические исследования процессов роста квантовых ям на основе HgTe с контролем параметров в реальном времени и  их магнитотранспортных свойств.
д.ф.-м.н. Сидоров Ю.Г.
ИФП СО РАН
37.   Формирование полупроводниковых наночастиц под влиянием веществ -  сурфактантов методм молекулярно-лучевой эпитаксии.
д.ф.-м.н. Пчеляков О. П.
ИФП СО РАН
38.   Механизмы роста и характеристики Si и Si/Ge нановискеров.
чл.-кор.РАН Неизвестный И. Г. 
ИФП СО РАН 
39.   Полупроводниковые нанооболочки с управляемой кривизной поверхности.
к.ф.-м.н. Воробьев А.Б.
ИФП СО РАН
40.   Релаксация спина экситонов в новом классе квантовых точек: InAs/AlGaAs квантовые точки первого рода с непрямой структурой зон в пространстве квазиимпульсов.
д.ф.-м.н. Журавлев К. С. 
ИФП СО РАН 
41.   Разработка полупроводниковых наноструктур с низкой плотностью
квантовых точек для приборов нанофотоники
д.ф.-м.н. Гайслер В. А.
ИФП СО РАН 
42.   Исследование спектра электронных состояний в наногетероструктурах Si/CaF2/BaF2/PbSnTe:In
д.ф.-м.н. Шумский В.Н.  
ИФП СО РАН , ИЯФ СО РАН
43.   Эффекты электрон-электронного и спин-орбитального взаимодействий в наноструктурах
чл.-к. РАН  Чаплик А.В. 
ИФП СО РАН 
44.   Квантовый транспорт и коллективные явления  в двумерных электронных системах в гетероструктурах  AlGaAs/GaAs и  AlGaN/GaN,  квантовых ямах CdHgTe/HgTe/CdHgTe и наноструктурах на их основе
д.ф.-м.н. Квон Зе Дон 
ИФП СО РАН 
45.   Коллективные явления в полупроводниковых наноструктурах с плотным массивом квантовых точек.
чл.-к. РАН Двуреченский А.В
ИФП СО РАН
46.   Создание светоизлучающих диодов на основе наноструктурированных слоёв кремния для диапазона длин волн 1.5-1.6 мкм
д.ф.-м.н. Шкляев А.А.
ИФП СО РАН
 
Программа ОНИТ РАН
«Архитектура, системные решения, программное обеспечение, стандартизация и информационная безопасность информационно-вычислительных комплексов новых поколений» (коор.  ак. В.Б. Бетелин)

47. Распределенные вычислительные системы и параллельное мультипрограммирование.
чл.-к. РАН Хорошевский В. Г. 
ИФП СО РАН, ИВТ СО РАН и ОПИ ТНЦ СО РАН
Программа ОНИТ РАН
«Фундаментальные проблемы развития эпитаксиальных технологий наноструктур»
(коор. чл.-к. РАН А.А. Горбацевич)
48. Процессы эпитаксиального роста  наноструктур при  низкоэнергетическом ионном воздействии и лазерном отжиге
чл.-к. РАН Двуреченский А.В.
ИФП СО РАН
Программа ОНИТ РАН
Информационные технологии и методы анализа сложных систем
(коор. ак. С.К. Коровин)
 49. Технология интеллектуальной обработки пространственно-распределённых данных и создания высокопроизводительных информационно-вычислительных ресурсов для поддержки междисциплинарных фундаментальных исследований.
 чл.-к. РАН Бычков И.В. 
ИДСТУ СО РАН

Программа ОНИТ РАН
Элементная база микроэлектроники, наноэлектроники и квантовых компьютеров, материалы для микро- и наноэлектроники, микросистемная техника, твердотельная электроника (коор. ак. К.А. Валиев)

50.  Исследование путей построения и создание макетов высокотемпературных сенсоров давления на основе кремниевых субмикронных и нанометровых структур на изоляторе
чл.-к. РАН Неизвестный И.Г.
ИФП СО РАН
51.   Исследование характеристик высокотемпературного одноэлектронного транзистора на основе наноструктур с одиночной квантовой точкой
д.ф.-м.н. Погосов А. Г.
ИФП СО РАН
 
 
Заместитель председателя Совета
чл.-к. РАН                                                                                 А.В. Латышев

Ученый секретарь
к.ф.-м.н.                                                                                   О.А. Клименко 

Заседание Совета 9 декабря 2010 г.