Проекты СО РАН в программе №24 Президиума РАН на 2012 г.

Перечень проектов СО РАН, включенных в Программу Президиума РАН № 24 на 2012 г. по разделу 
ФИЗИКА И ТЕХНОЛОГИЯ НАНОСТРУКТУР
координатор ак. Ж.И. Алферов

1.1 Квантовый транспорт и коллективные явления в низкоразмерных электронных системах.
1. Квантовый транспорт и коллективные явления  в двумерных металлах, полуметаллах, топологических изоляторах и дираковских системах на основе полупроводниковых гетероструктур и квантовых ям, д.ф.-м.н. Квон Зе Дон, ИФП СО РАН
2. Элементарные возбуждения и новые фазовые состояния низкоразмерных полуметаллических и графеноподобных систем, академик А.В. ЧапликИФП СО РАН
1.2. Многочастичные связанные состояния и фазовые переходы в неравновесных электронно-дырочных системах
3. Размерные эффекты в нанокристаллах соединений с фотостимулированным переключением электронных магнитных состояний,  д.ф.-м.н. В.А.Надолинный, ИНХ СО РАН, ИК СО РАН
1.4 Нанофотоника.
4. Разработка полупроводниковых наноструктур с селективно позиционированными квантовыми точками  для приборов нанофотоники,   д.ф.-м.н. В.А. Гайслер, ИФП СО РАН
5. Разработка и выращивание наногетероэпитаксиальных структур на основе CdHgTe квантовых ям, чувствительных в терагерцовом диапазоне, и исследование их фотоэлектрических свойств, д.ф.-м.н. Ю.Г.Сидоров, ИФП СО РАН
1.5 Метаматериалы. Наноплазмоника
6. Физико-химические основы создания и управления свойствами наноструктурированных материалов для оптоэлектроники, нанофотоники и спинтроники, ак. В.Ф.Шабанов, ИФ СО РАН, ИФП СО РАН, СКТБ «Наука» СО РАН
7. Неэмперический расчет колебательных спектров и поляризационных свойств сегнетоэлектрических пленок окислов со структурой перовскита,   д.ф.-м.н. В.И.Зиненко, ИФ СО РАН
8. Материалы для оптики и наноплазмоники, д.ф.-м.н. В.Г. Архипкин, ИФ СО РАН
9. Оптоэлектронные элементы и устройства на основе наноструктурированных ЖК материалов с ионно-сурфактантным управлением, д.ф.-м.н. В.Я.Зырянов, ИФ СО РАН
10. Магнитные, магнитооптические, магниторезистивные свойтсва наноразмерных многослойных и гранулированных пленочных структур,     д.ф.-м.н. Г.С.Патрин, ИФ СО РАН
11. Развитие методов электронной микроскопии и оптической микроспектроскопии для исследования магнитных и молекулярных наноструктур, д.ф.-м.н. А.Н.Втюрин, ИФ СО РАН
12. Плазмонный нанолазер, д.ф.-м.н. А.И.Плеханов, ИАиЭ СО РАН
13. Плазмонные резонансы для металлических наночастиц с заострениями формы, д.ф.-м.н. Б.И.Стурман, ИАиЭ СО РАН
14. Плазмонные метаматериалы и наноантенны для наноплазмоники и нанофотоники, д.ф.-м.н. В.Я.Принц, ИФП СО РАН
1.6 Наноструктуры на основе углерода. Топологические изоляторы
15. Cенсорные и электронные свойства химически модифицированного графена , д.ф.-м.н. А.В. Окотруб, ИНХ СО РАН
1.7 Волоконно-оптические системы
16.Фемтосекундная запись микро- и наноструктур показателя преломления в нефоточувствительных, структурированных и вытянутых волоконных световодах, чл.-к. РАН С.А.Бабин, ИАиЭ СО РАН
1.8 Физические основы технологий наноструктур
17. Закономерности формирования наноструктурных состояний в системах, образованных несмешиваемыми в термодинамически равновесных условиях элементами, д.т.н. Н. Н. Коваль, ИСЭ СО РАН
18. Получение атомно-гладких поверхностей GaAs и бескаталитический рост нановискеров GaAs, чл.-корр. РАН  И.Г.Неизвестный, ИФП СО РАН
19. Самоформирование квантоворазмерных наногетероструктур при молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений типа А 3В5, А4В4, включая нитриды металлов третьей группы, д.ф.-м.н. О.П.Пчеляков, ИФП СО РАН
20. Лазерно–индуцированное размерное наноструктурирование металлических и кремнесодержащих пленок как метод создания элементов дифракционной оптики и фотоники, д.т.н. А.Г.Полещук, ИАиЭ СО РАН
21. Разработка научных основ синтеза композитных наночастиц при высокоэнергетическом импульсном нагреве металлов, чл.-к. РАН Псахье С.Г. ИФПМ СО РАН
1. НАНОЭЛЕКТРОНИКА  (рук. ак. А.Л. Асеев)
2.1 Элементы, устройства и функциональные системы наноэлектроники
22. Исследование и разработка  физических принципов резистивной флэш памяти нового поколения, д.ф.-м.н. В.А.Гриценко, ИФП СО РАН
23. Многофункциональные сенсоры на основе одноэлектронных наноэлектромеханических транзисторов, д.ф.-м.н. А.Г.Погосов, ИФП СО РАН
2.2 Новые структуры и компоненты для наноэлектроники и нанофотоники
24. Насыщающиеся поглотители для ближнего инфракрасного диапазона   д.ф.-м.н. Н.Н. Рубцова, ИФП СО РАН
25. Модификация источников ближнего ИК излучения на основе слоёв наноструктурированного кремния посредством создания резонансных структур, д.ф.-м.н. А.А.Шкляев, ИФП СО РАН
26. Фундаментальные свойства нанопроволочных и атомарно тонких полевых приборов на основе кремния и алмаза, д.ф.-м.н. В.П. Попов, ИФП СО РАН
27. Физико-технические основы формирования и диагностики непрерывного нанопрофиля на осесимметричных широкоапертурных  поверхностях компонентов наноэлектроники и нанофотоники, д.т.н. Чугуй Ю.В., КТИ НП СО РАН
28. Межзонные и внутризонные оптические переходы в напряженных гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками и квантовыми ямами, чл.-корр.  РАН  А.В. Двуреченский, ИФП СО РАН
29. Альтернативные материалы для кремниевых приборов высокого уровня интеграции, ак. Ф.А.Кузнецов, ИНХ СО РАН
2.3. Генерация и детектирование терагерцового излучения
30. Разработка и исследование методов генерации и детектирования широкополосного терагерцового излучения на основе преобразования фемтосекундных лазерных импульсов в растровых структурах на объемных и многослойных полупроводниках, д.т.н. О.И. Потатуркин  ИАиЭ СО РАН
31. Разработка физико-технологических основ и создание прототипа системы детектирования терагерцового излучения в полосе до 200-300 мкм на основе пленок PbSnTe:In, д.ф.-м.н. А.Э.Климов, ИФП СО РАН
2.4 Методы вычислительного моделирования в наноэлектронике
32. Моделирование  квантовых наноструктур и наноустройств, к.ф.-м.н. О.А.Ткаченко, ИФП СО РАН
3. ДИАГНОСТИКА НАНОСТРУКТУР (рук. чл-к. М.В.Ковальчук)
3.1 Методы диагностики с использованием  рентгеновского и  синхротронного излучений, нейтронов и элементарных частиц.
33. Развитие аппаратурно-методического комплекса для определения структурных параметров и фазового состава, при исследованиях перспективных наноразмерных систем на синхротронном излучении, академик Г.Н.Кулипанов, ИЯФ СО РАН
34. Изучение состояния, структурных особенностей и закономерностей формирования нанокомпозитов Ge, GaAs, ZnS(Se) с пространственно-упорядоченным расположением наночастиц в пористых диэлектрических матрицах, методами, использующими синхротронное излучение,  д.ф.-м.н. Н.А. Мезенцев, ИЯФ СО РАН
35. Применение EXAFS и XANES спектроскопии для исследования микроструктуры SiGe квантовых колец на поверхности Si(100), квантовых точек GaN/AlGaN и сверхрешеток AlGaN /AlN с квантовыми ямами,  к.ф.-м.н.  С.Б. Эренбург, ИНХ СО РАНИФП СО РАН, ИЯФ СО РАН
36. Развитие рентгеновских методов исследования порошковых наноматериалов, д.ф.-м.н. С.В. Цыбуля,  ИК СО РАН
3.2 Зондовая и электронная микроскопия, электронография.
37. Диагностика твердотельных наноструктур с использованием высокоразрешающих методов электронной и зондовой микроскопии, чл.-корр. РАН  А.В. Латышев, ИФП СО РАН
3.3 Оптические методы и спектроскопия.
38. Рассеяние неоднородной волны на периодическом массиве наночастиц, д.ф.-м.н. Д.А. Шапиро, ИАиЭ СО РАН
39. Гигантское комбинационное рассеяние света полупроводниковыми наноструктурами , д.ф.-м.н. А.Г.Милёхин, ИФП СО РАН
40. Развитие методик определения оптических и механических свойств наноструктур методами геометрической оптики, эллипсометрии и спектроскопии, д.т.н. Б.М. Аюпов, ИНХ СО РАН 
41. Лазерная спектроскопия и диагностика NV-центров в алмазных наноструктурах, д.ф.-м.н. И.И.Рябцев, ИФП СО РАН

Постановление Президиума СО РАН № 99 от 15.03.2012 г. "О перечне и объемах финансирования проектов институтов СО РАН в программах РАН в 2012 году".
Перечень проектов институтов СО РАН в программах фундаментальных исследований Президиума РАН на 2012 год (Приложение 1).