Программа научной сессии «Проблемы полупроводникового кремния», 26 мая 2010 г., Президиум РАН, Москва

  

ПРОГРАММА СЕССИИ Вступительное слово академика Е.П. Велихова

  1. Ак. Кузнецов Федор Андреевич (ИНХ СО РАН), чл.-корр. РАН Грибов Борис Георгиевич (ОАО «НИИ особочистых материалов»), к.ф.-м.н. Резниченко Михаил Федорович (ИНХ СО РАН)  Проблемы технологии и производства поликристаллического кремния – 40 мин.

 

  1. Д.ф.-м.н. Непомнящих Александр Иосифович (Институт геохимии СО РАН) Развитие технологии мультикремния в РФ. – 20 мин.

 

  1. К.ф.-м.н. Калинин Валерий Васильевич (ИФП СО РАН), д.т.н. Макеев  Хасан Ильич (ОАО "ГИРЕДМЕТ"), к.т.н. Дашевский Михаил Яковлевич (НИТУ   "МИСИС") Проблемы технологии и производства монокристаллического кремния – 20 мин.
  2. Д.ф.-м.н. Попов Владимир Павлович (ИФП СО РАН) Кремниевая КМОП-технология вблизи физических пределов масштабирования– 20 мин.

 

Перерыв 30 мин.

 

 

  1. Ак. Красников Геннадий Яковлевич (ОАО «НИИМЭ и МИКРОН») Развитие отечественного производства кремниевых СБИС. – 30 мин.
  2. К.т.н. Тузовский Константин Анатольевич (ОАО «НИИ особочистых материалов») Солнечная энергетика на основе кремния. – 20 мин.
  3. Д.т.н. Харитонов Сергей Александрович (НГТУ, Новосибирск) Силовая кремниевая электроника. – 20 мин.

 

  1. Общее обсуждение. Состояние научных исследований, перспективы создания производства кремния для нужд микроэлектроники, солнечной энергетики, силовой электроники, микромеханики.

11:00-11:10

11:10-11:25, 11:25-11:55

 

 

11:55-12:15

 

12:15-12:35

 

12:35-12:55

 

12:55-13:25

 

13:25-13:55

 

13:55- 14:15

14:15- 14:35

14:35 -15:40