Решение третьего Годичного собрания Секции по проблемам функциональных материалов электронной техники Научного совета по новым материалам

Секция по проблемам функциональных материалов электронной техники Научного совета по новым материалам при МААН провела 3-е Годичное собрание в период 28-30 сентября 2010 г. в Москве в Институте радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН при финансировании приема ученых из стран СНГ Президиумом РАН.

Третье Годичное собрание организовано академиком РАН Ф.А. Кузнецовым и членом-корреспондентом РАН С.А. Никитовым. Программа научной сессии этого собрания формировалась Научным советом ОНИТ РАН по физико-химическим основам полупроводникового материаловедения. В собрании приняли участие представители Азербайджана, Белоруссии, России и Украины (всего около 40 человек).

В соответствии с решением Второго годичного собрания секции, проведенном  в период 11-13 ноября 2009 г. в Харькове на базе НТК “Институт монокристаллов” НАН Украины, программа работы секции включала три раздела:
- Обмен информацией о состоянии исследований в области функциональных материалах
- Научная сессия по проблемам материалов для энергетики
- Лекции для студентов по актуальным проблемам современного материаловедения.

Краткие итоги работы секции

28 сентября 2010 г.
Обсуждалось состояние исследований в области функциональных материалов для электронной техники в национальных академиях наук: обзорные доклады академика РАН Ф.А.Кузнецова, академика НАН Украины В.М. Пузикова и члена-корреспондента НАН Украины В.Г.Литовченко, профессора Белорусского государственного университета А.К.Федотова и члена-корреспондента НАН Азербайджана Таяра Джафарова
28-30 сентября
Научная сессия “Функциональные материалы для приборов и систем в энергетике”, на которой было заслушано 7 докладов*:

Авторы Тема доклада
С.А. Никитов, С.К. Мошнев, М.В. Рябко, Н.И. Старостин, Ю.А. Чаморовский (ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН, г. Москва) Высокочастотные датчики для электроэнергетитки на основе специальных оптических волокон
А.К. Федотов (БГУ, г. Минск) Исследование функциональных материалов для приборов и устройств энергетики в Белорусском государственно университете
И.М. Притула (НТК “Институт монокристаллов” НАН Украины, г. Харьков) Создание композитных материалов с управляемым нелинейно-оптическим откликом для преобразования частоты мощного лазерного излучения
Л.А. Косяченко (Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича, г. Черновцы) Перспективы применения тонкопленочного теллурида кадмия в солнечной энергетике
В.А. Гергель, Н.М. Горшкова (ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН, г. Москва) Перспективы наноэлектроники в решении общих проблем энергоснабжения
Таяр Джумшуд оглы Джафаров (Институт физики НАН Азербайджана, г. Баку) Мини водородные топливные элементы на основе наноструктурного пористого кремния
В.П. Костылев, В.Г. Литовченко, В.Ф. Мачулин, А.В. Саченко Разработка многобарьерных кремниевых фотоэлектрических преобразователей

29 сентября 2010 г.
Выездные сессии, посвященные вопросам образования по материаловедческим дисциплинам: Первая сессия проведена в Московском государственном институте электронной техники (МИЭТ), г. Зеленоград и вторая сессия – в Московском институте стали и сплавов (технологический университет МИСиС), г. Москва.
Программа Первой сессии.
Академик РАН Ф.А. Кузнецов, член-корреспондент РАН  Ю.А. Чаплыгин Открытие выездной сессии. Информация о направлениях подготовки кадров и научных исследований в Московском государственном институте электронной техники
Лекции для студентов
Доктор химических наук Н.Н. Киселева (Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова РАН (ИМЕТ), г. Москва) Базы данных по свойствам неорганических веществ и материалов
Член-корреспондент НАН Украины А.В. Толмачев (НТК “Институт монокристаллов” НАН Украины, г. Харьков) Размерные эффекты в процессах получения низкотемпературными методами нанокристаллов редкоземельных оксидов и их ансамблей
Профессор В.М. Воротынцев (Нижегородский государственный технический университет, г. Нижний Новгород) Высокочистый германий: прошлое, настоящее и будущее

Программа Второй сессии.
Академик РАН А.В. Елютин, профессор М.Я. Дашевский Открытие выездной сессии в Московском институте стали и сплавов (технологический университет МИСиС)
Лекции для студентов
Профессор Е.В. Жариков (Российский государственный химико-технологический университет им. Д.И. Менделеева, г. Москва) Рост кристаллов в условиях контролируемых вибраций
Профессор Р.Х. Акчурин (Московский институт тонких химических технологий им. Ломоносова) Об органических полупроводниках в современной электронике
Профессор М.Я. Дашевский (Московский институт стали и сплавов (технологический университет МИСиС), г. Москва) Материаловедение кремния: состояние и перспективы развития

Дискуссии по представленным на собрании сообщениям:

При обсуждении представленных в обзорных докладах по исследованиям функциональных материалов электронной техники в странах-участницах собрания и в докладах научной сессии было подчеркнуто большое значение объединения работающих в СНГ материаловедов в Секцию при МААН, позволяющее координировать исследования и разработки по материалам для электронной техники.
Участниками собрания в дискуссиях по докладам неоднократно подчеркивалось решающее значение систем электронной техники в обеспечении государственной,  технологической и энергетической безопасности стран СНГ и в связи с этим недопустимость ориентироваться только на импортное обеспечение электронными системами.
Было отмечено, что хотя в странах еще не преодолены последствия мирового кризиса,  принимаются меры для модернизации экономик и развития инновационных производств.
В настоящее время во всем мире интенсивно развивается солнечная энергетика, Это является мощным стимулом для интенсификации работ по совершенствованию материалов и технологий создания элементной базы.
 Необходимо воспользоваться сложившейся ситуацией для ускоренного развития работ по исследованию, производству и применению основного материала современной электроники кремния, а также нетрадиционных материалов для солнечной энергетики (таких как теллурид кадмия, например), имеющих другие приложения в данной области.
Необходимо обратить внимание на научные разработки энергосберегающих и ресурсосберегающих технологий получения исходных высокочистых материалов для микро-,  нано- и оптоэлектроники с целью понижения их себестоимости и улучшения качества. Повышение оптических и электрических свойств материалов требует также разработки новых методов и технологий глубокой очистки от примесей , в том числе от включений наноразмерных частиц.
При обсуждении доложенных работ указывалось на большое значение исследований особенностей нанокристаллических форм кремния и других используемых в электронике материалов. Важным является учет размерных эффектов при рассмотрении термодинамики фаз и многофазных структур.

Обмен мнениями по выездным заседаниям в ВУЗах, организованных по инициативе Научного совета ОНИТ РАН по физико-химическим основам полупроводникового материаловедения, показал, что опыт оказался, несомненно, полезным. Московский институт электронной техники и Московский институт стали и сплавов, где были проведены упомянутые выездные заседания – в настоящее время являются ведущими учебными заведения, выпускающих специалистов по электронной технике, в том числе специалистов – материаловедов. В обоих институтах проводятся серьезные фундаментальные и прикладные исследования. Состоявшиеся визиты в эти институты полезны для расширения контактов материаловедов стран СНГ.
Участники собрания секции согласны, что проведение лекций и ознакомление с работами вузов необходимо включать в программу следующих встреч.

 В целом участники сессии считают необходимым отметить, что несмотря на длительный период невостребованности в странах СНГ, представители которых принимают участие в работе секции, сохранился значимый научный потенциал, проводятся исследования по всем важнейшим направлениям создания функциональных материалов, имеются рабочие контакты с исследовательскими и промышленными организациями стран, определяющих прогресс в развитии электроники, оптики и других отраслях применения функциональных материалов.  Члены секции уверены, что при объединении усилий наших стран мы способны выйти на достойный уровень разработок и производства этой техники. В настоящее время имеющийся потенциал используется в малой степени. Целесообразно обратить внимание руководителей государств и бизнеса, что в осуществление программ модернизации экономик стран материаловедческие коллективы способны внести значительный вклад.
Участники собрания выразили надежду на поддержку своих национальных академий и МААН по привлечению внимания правительств и деловых кругов к проблеме возрождения и развития электроники, в том числе наноэлектроники, и других направлений техники,  основанной на функциональных материалов.

Решение
По итогам докладов, дискуссий по исследованиям материалов и вопросам образования участники собрания приняли следующие решения.
1. Считать своевременным, жизнеспособным и нужным делом создание на постсоветском пространстве регулярно работающей команды материаловедов – Секции по проблемам функциональных материалов электронной техники Научного совета по новым материалам при МААН. Сообщить об итогах собрания-2010 руководству МААН, национальных академий наук и представителям национальной промышленности.

2. Провести уточнение реального состава Секции, составленного из команд от национальных академий стран СНГ, и расширить состав Бюро Секции за счет членов бюро-представителей национальных академий. В этом году такими членами бюро предложены и одобрены собранием профессор, заведующий кафедрой Белорусского государственного университета  А.К. Федотов  и ученый секретарь Научного совета ОНИТ РАН по физико-химическим основам полупроводникового материаловедения с.н.с.  к.х.н. Л.Ю. Харченко. Собрание  рекомендует ввести с состав команды от НАН Азербайджана руководителя лаборатории  Института физики НАН Аз.  д.ф.-м.н.  профессора Аджарова Гусну Халиловича.

3. При планировании работы секции иметь в виду следующие формы работы
- проведение регулярных годичных собраний членов Секции с научными сессиями по выбранной  актуальной теме и выездными заседаниями в ведущих вузах стран участниц МААН
- участие в научных мероприятиях, организуемых в СНГ по тематике Секции.

4. Просить руководство МААН рассмотреть возможность организации конкурса работ по тематике секции. Секция готова дать предложения по порядку рассмотрения выдвигаемых работ. В настоящее время целесообразно при организации такого конкурса иметь в виду следующие направления материаловедения:
 *   кремний для солнечной энергетики
*   материалы и системы для нетрадиционных применений в энергетике
*   полупроводники широко- и узкозонные
*   оксидные функциональные материалы
*   нано- и метаматериалы
*   функциональные материалы для систем производства, накопления, преобразования и  эффективного использования энергии

5. Просить руководство МААН выйти с инициативой организации межгосударственных проектов по разработке и использованию материалов.
Примером такого проекта может быть материалы для солнечной энергетики. Такой проект может включать работы по кремнию, некоторым другим материалам фотовольтаики, материалы,  необходимые для создания устройств накопления энергии (аккумуляторы, супеконденсаторы..).
В странах СНГ имеются серьезные заделы по этому направлению.
На предыдущих встречах отмечалось, что серьезные работы в этом направлении ведутся в организациях России, Украины и Белоруссии. На настоящей сессии было показано, что серьезным потенциалом в развитии солнечной энергетики обладает институт физики НАН Азербайджана.
В настоящее время в мире растет спрос на материалы и технологии для создания эффективных систем солнечной энергетики. Имеется возможность взаимовыгодного участия в крупных программах, проводимых в ряде стран. В частности имеется возможность участия в осуществлении индийской программы называемой «Солнечная миссия имени Джавахарлала Неру».

6. В соответствии с решением предыдущего собрания секции академиком РАН директором ФТИАН  Орликовским А.А. организована работа по созданию веб сайта секции. Первый вариант веб-страницы размещен на  www.ftian.ru/sc
Секция постановила разместить на созданном сайте материалы заседаний включая копии презентаций. Учитывая рабочий характер материалов,  некоторые разделы сайта будут доступны лишь членам секции. В открытой для общего доступа части сайта  будут представлены лекции членов Секции, прочитанные для студентов и аспирантов МИЭТ и МИСиС, планы мероприятий и общий материал Секции и Научного совета ОНИТ РАН.

7. Следующее четвертое годичное собрание членов Секции провести в Киеве на базе Института физики полупроводников НАН Украины в октябре 2011 года. 
Наряду с рекомендованными выше разделами программы годичного собрания, включить в повестку дня четвертого годичного собрания секции обмен информации о готовности стран к поддержке совместных проектов и программ, направленных на развитию работ по материалам и основанной на этих материалах техники. Рекомендовать членам секции провести ко времени встречи необходимую работу с соответствующими агентствами и органами в своих странах.

Участники отмечают высокий уровень организации собрания Советом РАН, Институтом радиоэлектроники РАН, Московским институтом электронной техники и московским институтом стали и сплавов.
Все разделы программы проведены эффективно в доброжелательной атмосфере.

Мероприятия Совета «Физико-химические основы полупроводникового материаловедения» 2010 года